Zunxian Yang

Fuzhou University · National & Local United Engineering Laboratory of Flat Panel Display Technology

1) The coated carbon from Sn-MOF carbonization with the nanosheet architecture improves the specific surface area; 2) the heterojunction between SnS and MoS 2 provides active sites; 3) the surface carbon provides a large number of active sites.

After optimizing the content of glucose and the structure of carbon nanotubes, the composite was achieved. Carbon nanotubes were used to control the vulcanization growth of MoS 2 . The MoS 2 @C composites delivered excellent electrochemical properties.

Metal‐Organic Frameworks (MOFs) have been extensively studied due to their porous structures and large specific surface areas. Its unique combination of central metal and organic ligand has become a common precursor for the synthesis of metal phosphides, selenides, oxides and sulfides. However, the carbonaceous structure derived from some MOF mater...

Metal–organic frameworks (MOFs) are considered potential electrode materials for lithium‐ion batteries (LIBs) in the future because of their structural diversity and high controllability. However, due to poor electrical conductivity and few exposed active sites caused by structural stacking, MOFs material is difficult to use as electrode material d...

The prepattern-guided crystallization method was used to prepare array thin film transistors. The photonic synapses realized synaptic behaviour with 0.036 fJ per spike and demonstrated many important functions.

The MoS 2 nanotubes assembled from MoS 2 nanosheets are wrapped in rGO. The NC-MoS 2 @rGO is endowed with ultrahigh capacity, high cycle stability and rate capability. Addition of graphene has a positive effect on battery performance by DFT calculation.

Inspired by the biological visual system, it is of great significance for the development of biomimetic visual systems to integrate large-scale and small-scale organic photon synaptic sensors and further...

Owing to their many intriguing properties, transparent metal oxide semiconductors have become the most attractive alternatives for silicon-based semiconductors widely used today and been widely investigated by researchers. However, most of high performance metal oxide thin film transistor (TFT) relied on vacuum processing equipment and expensive ra...

Metal sulfides, one kind of electrode material with very high theoretical capacity, have been widely studied for use in lithium and sodium ion batteries. However, there are some problems hindering their applications in electrodes, such as low conductivity and volume expansion. The MOF introduces metals with different coordination strengths into an...

Molybdenum disulfide (MoS2), which is belonged to two-dimensional transition metal chalcogenides, has been considered to have great lithium/sodium storage potential. However, the poor conductivity, unsatisfied mechanical stability as well...

Recently, perovskite quantum dots (PQDs) were employed as promising emitters in light-emitting diode devices (LEDs) mainly owing to their marvelous photoelectronics properties. However, these perovskite QLEDs suffered from the inefficient performance, especially their serious efficiency roll-off probably due to the exciton recombination dynamic in...

MgH2 is regarded as a potential hydrolysis material for the hydrogen generation due to its high theoretical hydrogen yield, abundant source on earth and environmentally friendly hydrolysates. However, the quickly formed passive magnesium hydroxide layer on the surface of MgH2 will hinder its further hydrolysis reaction, leading to sluggish reaction...

An artificial synaptic device that can provide color discrimination, image storage, and image recognition is highly required to mimic the human vision for biological robots. All-inorganic halide perovskites have attracted extensive attention for the reason of their high stability and favorable photoelectric properties. In this study, a light-stimul...

Lithium–sulfur (Li–S) batteries have attracted great interest for next-generation batteries owing to their high capacity density and low cost. However, the drawbacks of the low conductivity of sulfur, serious “shuttle effect” and huge volume expansion during the charging/discharging cycles greatly limit their practical applications. In this work, w...

CuInS2-based quantum-dots (QDs) have been highlighted as promising photoelectric materials for their low toxicity and color adjustable emissions as well as stability. Here, multi-shell CuInS2/ZnS/ZnS QDs with high PLQY of 76% were synthesized by employing a high temperature and long-time growth strategy while highly bright and efficient quantum-dot...

Transition‐metals have emerged as promising catalyst candidates for improving the hydrogen storage properties of MgH2. However, the preparation of uniformly dispersed and extra-fine transition‐metals catalysts with high catalytic activity still remains a challenge. In this paper, an electrospinning‐based reduction approach is presented to generate...

Transition metal disulfides have been widely used in lithium/sodium ion batteries as cathode materials. However, the huge structural changes in electrochemical processes remain a challenge. Here, 3DG‐MoS2 hybrid nanomaterials with particular sandwich architecture were synthesized successfully by a simple evaporation and hydrothermal reaction method...

The amorphous multi-elements oxide films were grown by facile temperature-controlled approach. The compact IMZO film was deposited and the size of voids formed in the film reduced greatly as compared with that of the pure ZnO film. The 5 nm-thick IMZO was patterned directly with the aid of the stencil mask and applied to thin film transistor which...

An effective Quantum Dot Light Emitting Diodes (QLED) was developed by creatively inserting an easily controlled 2D graphene oxide (GO) film between the luminescent layer and the electron transport layer (ETL) as the electron barrier layer (EBL). As compared with the traditional PMMA and other polymer barrier layers, the GO with particular the lame...

2D transition‐metal disulfides are considered to be one of the most preferred materials for lithium/sodium‐ion batteries. However, complex processes and structural instability during cycling will be a challenge to face. Herein, the hierarchical composite nanotubes CeO2@C@MoS2 (MS/CNTs) were prepared by electrostatic spinning, followed by a simple c...

Quantum dots fluorescence-enhanced films, which mainly consisted of [email protected] quantum dots and noble metal nanoparticles or nanorods, were formed by layer-by-layer self-assembly techniques. This particular architecture consisting of metal nanoparticles-poly (diallyl dimethylammonium chloride) (PDDA)-QDs was characterized by those fabricatio...

Nanomaterials, especially quantum dots, have become one of the most great potential channel transport layer materials in the field of photo detection mainly due to their particular light absorption characteristics. However, there are still many disadvantages such as low carrier transport capability possibly attributable to the discontinuity nature...

Luminescent materials such as Cd-based quantum dots, CuInS2 quantum dots, and perovskite-based materials and so on have an important position as an exceptional class of optoelectronic materials due to their unique and novel characteristics for optoelectronic applications. Devices based on them, however, face a key challenge, that is their poor long...

Semiconductor quantum dots (QDs) have attracted extensive attention due to their remarkable optical and electrical characteristics. While the practical application of quantum dots and further the quantum dot composite films have greatly been hindered mainly owing to their essential drawbacks of extreme unstability under the oxygen and water environ...

Particular N, S co-doped graphene/Fe3O4 hybrids have been successfully synthesized by the combination of a simple hydrothermal process and a subsequent carbonization heat treatment. The nanostructures exhibit a unique composite architecture, with uniformly dispersed Fe3O4 nanoparticles and N, S co-doped graphene encapsulant. The particular porous c...

T-ZnO-supported CNT emitters were fabricated by using a simple process involving two spraying steps followed by heat treatment in air. The T-ZnO-supported CNT emitter was observed to form a particular architecture with the T-ZnO support containing a vertically aligned CNT emitter firmly attached to the electrode. These particular T-ZnO-supported ca...

Carbon nanotubes (CNTs)/MnOx-Carbon hybrid nanofibers have been successfully synthesized by the combination of a liquid chemical redox reaction (LCRR) and a subsequent carbonization heat treatment. The nanostructures exhibit a unique one-dimensional core/shell architecture, with one-dimensional CNTs encapsulated inside and a MnOx-carbon composite n...

Uniform Sn/C hybrid core/shell nanocomposites were synthesized by a combination of electrospinning and subsequent thermal treatment in a reducing atmosphere. The particular three-dimensional architecture, consisting of a Sn@C nanoparticle core and porous hollow carbon nanofiber shell, is characterized by many micro/nanochannels, enhanced mechanical...

本发明涉及一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器,包括多层交替叠加的内电极层和介质层；所述内电极层由石墨烯或石墨烯与纳米导电材料的复合结构薄膜构成,所述介质层由烧结陶瓷体构成；所述内电极层的厚度取值范围为1nm-500nm；所述内电极层通过印刷、喷墨、涂覆或转移的方法制备。本发明的内电极层导电性能极好,大大增加了小尺寸下多层陶瓷电容器的电容值。

本发明涉及一种等离子体激元增强量子点光学膜的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在ITO玻璃衬底上,分别以金属量子点层作为等离子激元增强层、以有机高分子化合物作为隔离层、以CdSe量子点/有机高分子复合膜层作为光致发光层,制备等离子体激元增强量子点光学膜。本发明所提出的制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用简单的旋涂工艺技术,实现复合膜中各个膜层厚度精确可控,分散性良好,充分利用高分子有机物对金属量子点与半导体量子点间距的阻隔和调控,实现金属量子点对半导体量子点处光场强度分布等参数有效控制,有效提高其量子点光学膜的光致发光性能,在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。

采用热氧化法成功制备大小均匀的CuO纳米线,采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别表征其形貌和晶体结构,研究了温度对其形貌和结构的影响,并针对其生长机理进行探讨。场致电子发射测试表明,CuO纳米线具有较好的电子发射特性:其开启电场强度为3.75V/μm,电流密度可达0.33mA/cm~2。CuO纳米线有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用。

本发明涉及一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法。所述高性能底栅型TFT器件结构包括基板,栅电极,栅电极绝缘层,具有图案化表面的半导体有源层,源电极,漏电极,所述图案化半导体有源层指采用压印、光刻、刻蚀、激光加工等方法,在半导体有源层的上表面全部或部分区域制作一些各向同性或各向异性形状的图案,使得半导体有源层上表面起伏图案。该结构TFT一方面增加源、漏极与半导体层的接触面积,另一方面减少载流子流动所需经过的低导电性区域厚度,既可以提高开启电流,又增大其开关比。

本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法,利用lift-off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层,在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层,有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压,在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出金属量子点层、有机半导体层,随后,通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极,作为相应的源极、漏极和栅极,再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值,因此,在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明涉及一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器,包括多层交替叠加的内电极层和介质层；所述内电极层由石墨烯或石墨烯与纳米导电材料的复合结构薄膜构成,所述介质层由烧结陶瓷体构成；所述内电极层的厚度取值范围为1nm-500nm；所述内电极层通过印刷、喷墨、涂覆或转移的方法制备。本发明的内电极层导电性能极好,大大增加了小尺寸下多层陶瓷电容器的电容值。

本发明涉及一种金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出金属量子点层、有机半导体层,随后,通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属量子点/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极,作为相应的源极、漏极和栅极,再通过旋涂有机物实现对量子点导电沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,有效提高了金属量子点/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值,因此,在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,制备出金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合膜层,再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低且工艺简单,同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应,从而有效提高光控栅极晶体管的...

本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法,利用lift-off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层,在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层,有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压,在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,制备出金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合膜层,再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低且工艺简单,同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应,从而有效提高光控栅极晶体管的...

采用热氧化法成功制备大小均匀的CuO纳米线,采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别表征其形貌和晶体结构,研究了温度对其形貌和结构的影响,并针对其生长机理进行探讨。场致电子发射测试表明,CuO纳米线具有较好的电子发射特性:其开启电场强度为3.75V/μm,电流密度可达0.33mA/cm~2。CuO纳米线有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用。

本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层,随后,通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性,有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。

本发明公开了一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出金属膜片阵列层、有机半导体层,随后,通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,再通过旋涂有机物实现对金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,有效提高了金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值。

本发明涉及一种基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出金属量子点等离子激元增强层、绝缘有机隔离层、CdSe半导体量子点导电沟道层,随后,通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在CdSe量子点沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于等离激元增强光控量子点薄膜晶体管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,所制备的光控栅极型量子点薄膜晶体管具有特殊量子点导电沟道、金属量子点等离子激元增强特性,有效提高了光控栅极晶体管的灵敏度。

采用热氧化法成功制备大小均匀的CuO纳米线,采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)分别表征其形貌和晶体结构,研究了温度对其形貌和结构的影响,并针对其生长机理进行探讨。场致电子发射测试表明,CuO纳米线具有较好的电子发射特性:其开启电场强度为3.75V/μm,电流密度可达0.33mA/cm~2。CuO纳米线有望作为冷阴极材料在场致发射器件上得到应用。

本发明涉及一种等离子体激元增强量子点光学膜的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在ITO玻璃衬底上,分别以金属量子点层作为等离子激元增强层、以有机高分子化合物作为隔离层、以CdSe量子点/有机高分子复合膜层作为光致发光层,制备等离子体激元增强量子点光学膜。本发明所提出的制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用简单的旋涂工艺技术,实现复合膜中各个膜层厚度精确可控,分散性良好,充分利用高分子有机物对金属量子点与半导体量子点间距的阻隔和调控,实现金属量子点对半导体量子点处光场强度分布等参数有效控制,有效提高其量子点光学膜的光致发光性能,在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明涉及一种等离子体激元增强量子点光学膜的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在ITO玻璃衬底上,分别以金属量子点层作为等离子激元增强层、以有机高分子化合物作为隔离层、以CdSe量子点/有机高分子复合膜层作为光致发光层,制备等离子体激元增强量子点光学膜。本发明所提出的制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用简单的旋涂工艺技术,实现复合膜中各个膜层厚度精确可控,分散性良好,充分利用高分子有机物对金属量子点与半导体量子点间距的阻隔和调控,实现金属量子点对半导体量子点处光场强度分布等参数有效控制,有效提高其量子点光学膜的光致发光性能,在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明涉及一种高性能底栅型TFT器件结构及其制备方法。所述高性能底栅型TFT器件结构包括基板,栅电极,栅电极绝缘层,具有图案化表面的半导体有源层,源电极,漏电极,所述图案化半导体有源层指采用压印、光刻、刻蚀、激光加工等方法,在半导体有源层的上表面全部或部分区域制作一些各向同性或各向异性形状的图案,使得半导体有源层上表面起伏图案。该结构TFT一方面增加源、漏极与半导体层的接触面积,另一方面减少载流子流动所需经过的低导电性区域厚度,既可以提高开启电流,又增大其开关比。

本发明公开了一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,依次制备出金属膜片阵列层、有机半导体层,随后,通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,再通过旋涂有机物实现对金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,有效提高了金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值。

本发明涉及一种基于石墨烯内电极层的多层陶瓷电容器,包括多层交替叠加的内电极层和介质层；所述内电极层由石墨烯或石墨烯与纳米导电材料的复合结构薄膜构成,所述介质层由烧结陶瓷体构成；所述内电极层的厚度取值范围为1nm-500nm；所述内电极层通过印刷、喷墨、涂覆或转移的方法制备。本发明的内电极层导电性能极好,大大增加了小尺寸下多层陶瓷电容器的电容值。

In this paper, the field emission properties of the planar-gate triode with double-layer films cathode was improved by post-treatment of pulse voltage. The field emission device based on the planar-gate triode with B2O3/SnO2 double-layer films based surface conducted emitter (SCE) has been successfully fabricated by magnetron sputtering. The double...

Novel MnOx@Carbon hybrid nanowires were successfully synthesized by the combination of a hydrothermal process and a simple PVP (polyvinylpyrrolidone) – solution-soaking method followed by a subsequent carbonization treatment. The nanostructures exhibit the unique feature of having nanocrystalline manganese oxide particle encapsulated inside and an...

以碳纳米管(CNTs)、高锰酸钾、醋酸锰、聚乙烯吡咯烷酮为原料,通过一步溶液法辅以热处理,制备出以CNTs为核,以碳包覆氧化锰(Mn Ox@C)为壳的一维壳核结构CNTs/Mn Ox@C纳米复合材料,并对该纳米复合材料的结构、形貌及锂电性能进行分析。研究结果表明,通过一步溶液法制备的CNTs/Mn Ox@C纳米复合材料表面Mn Ox@C包覆均匀,氧化锰质量分数高达50%。该材料作为锂电负极材料在100 m A/g的恒流充放电下循环100次后放电比容量达到483.5 m Ah/g;在1000m A/g的大电流充放电循环中放电比容量达到368.6 m Ah/g。

本发明涉及一种锂电池的3D打印方法,首先制备3D打印所需的正、负极浆料及其隔膜浆料。再将各浆料分别打印出锂电池的正、负电极以及位于上述两者之间的电极隔膜层,随后,在试管炉中用氩气保护下热处理制备得到正极、隔膜层及负极交叠组装的环状电极复合材料；再转移到手套箱内进行封装,最终得到阴极、隔膜及阳极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池,大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率。

采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。

本发明涉及一种基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法。这种方法主要是分别以钛酸锂、聚酰亚胺、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水,再利用3D打印技术,制备出以钛酸锂为阳极材料,聚酰亚胺为隔膜,磷酸铁锂为阴极材料的叠层垂直交叉电极结构。本发明主要基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法,具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、阴阳极电极间距小等优势。这些都将极大提高了锂离子在电极之间的的扩散速度,进而提高了其离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试,结果表明,线状的氧化铋纳米材料阴极阵列,开启电场最小,为2.6 V/μm,场增强因子最大,为2160,场发射性能最佳,手状结构的氧化铋纳米材料阴极阵列场发射次之,类手状结构最差,最后对有机溶剂对不同形貌产生的原因进行了分析。

本发明公开了一种原位生长量子点光学膜的制备方法,利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术,在ITO玻璃衬底上,原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层,随后再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺,最终制备出原位生长高分散性量子点光学膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用原位生长技术,因而光致发光层中的量子点粒径精确可控、分散性良好,该量子点光学膜制备工艺可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用,实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布,进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能,因此,在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明公开了一种基于3D打印技术制备阴阳极同轴锂离子电池的方法,以氧化锰、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂为原料制备出打印墨水,再利用3D打印技术,采用同轴套管打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚偏氟乙烯膜为隔膜,以氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,在氩气保护下热处理后得到以磷酸铁锂为阴极材料,以多孔聚偏氟乙烯膜为隔膜,以多孔氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,再转移到手套箱内进行封装,最终得到阴阳极同轴锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴阳极同轴结构、大的比表面积,大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率。

本发明涉及一种基于同轴3D打印技术制备并排阴阳极锂离子电池的方法。这种方法主要是先制备出分别包含钛酸锂、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂混合物的阳极、隔膜和阴极打印墨水,通过3D打印技术,采用同轴套管3D打印技术打印出以钛酸锂为阳极材料、聚偏氟乙烯为隔膜材料、磷酸铁锂为阴极材料的阴阳极并排结构,该阴阳极并排结构具有阳极、隔膜同轴并与阴极并排的特殊结构,最后将此结构转移到手套箱中进行封装,进一步得到同轴并排阴阳极锂离子电池。该方法主要是在阳极材料外面打印上一层多孔隔膜,并可以与阴极材料紧密接触,大大缩短了锂离子在阴阳电极间的扩散距离,提高了电极材料的电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法,利用先进的量子点组装技术,在硅/二氧化硅衬底上,组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道,随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,随后,通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道,可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应,从而有效提高了晶体管的灵敏度,因此,在新型光电器件中将具有...

本发明涉及一种圆环形锂电池的3D打印工艺,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用特定的3D打印工艺制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形复合电极材料。本发明基于圆环形锂电池的3D打印工艺,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；这一叠层圆环电极材料大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明涉及一种基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法。这种方法主要是分别以锡碳纳米材料、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水,再用3D打印技术打印出以锡碳材料为阳极,磷酸铁锂材料为阴极的电极结构,最后将所制备的电极转移到充满氩气的手套箱中完成对3D复合电极锂离子电池的封装。本发明主要基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法,具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、导电性能良好等优势。在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明公开了一种基于3D打印技术制备锂离子电池多孔电极的方法,以磷酸铁锂、氧化锰为原料制备出打印墨水,再利用3D打印技术,采用微型注射打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以氧化锰为阳极材料的阴阳极叉指型结构,然后在氩气保护下热处理后得到以多孔磷酸铁锂为阴极材料,以多孔氧化锰为阳极材料的叉指型锂离子电池结构,再将其转移到手套箱内进行封装,最终得到阴阳极交叉的锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有大的比表面积,使得电池的比容量和能量密度相比以往的平面型锂离子电池有很大提高；另外,阴阳极材料的多孔型结构提高了锂离子的扩散速度,同时使得锂离子电池具有较高的离子及电子电导率。

本发明涉及一种应用于锂电池3D打印的材料制备方法,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用3D打印技术制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明基于锂电池3D打印的材料制备方法,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池,这将大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明公开了一种以碳纳米管为核制备同轴复合纳米材料的方法,以碳纳米管为核生长由内到外依次为碳纳米管、氧化锰、无定形碳的纳米复合材料,即无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管(C/MnOx/CNTs)同轴复合纳米材料,其中锰的氧化物为MnO2、Mn3O4和MnO,简写为MnOx。本发明运用以碳纳米管为核制备出一维无定形碳/锰的氧化物/碳纳米管(C/MnOx/CNTs)同轴复合纳米材料,其制备工艺简单,设备要求低、并且所制备的材料具有大比表面积、高稳定性、高容量、高导电率,在锂二次电池电极负极材料领域有巨大的应用潜力。

采用脉冲电压法对平栅双层膜阴极进行处理,进一步提高其场致发射性能。采用磁控溅射法在平行栅电极上溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,并对薄膜进行AFM分析,通过场致发射测试结果表明,经过脉冲电压法处理后的平行栅双层膜阴极的发射性能,如亮度、均匀度等有了很大的提高,阳压为3 000 V,栅压为190 V,其腔体亮度可达462 cd/m2。平行栅双层膜阴极的脉冲电压处理可以有效改善阴极的场发射性能,为改善SED阴极结构及材料提供了一条有效的实验方法。

采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。

为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试,结果表明,线状的氧化铋纳米材料阴极阵列,开启电场最小,为2.6 V/μm,场增强因子最大,为2160,场发射性能最佳,手状结构的氧化铋纳米材料阴极阵列场发射次之,类手状结构最差,最后对有机溶剂对不同形貌产生的原因进行了分析。

本发明涉及一种基于同轴3D打印技术制备并排阴阳极锂离子电池的方法。这种方法主要是先制备出分别包含钛酸锂、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂混合物的阳极、隔膜和阴极打印墨水,通过3D打印技术,采用同轴套管3D打印技术打印出以钛酸锂为阳极材料、聚偏氟乙烯为隔膜材料、磷酸铁锂为阴极材料的阴阳极并排结构,该阴阳极并排结构具有阳极、隔膜同轴并与阴极并排的特殊结构,最后将此结构转移到手套箱中进行封装,进一步得到同轴并排阴阳极锂离子电池。该方法主要是在阳极材料外面打印上一层多孔隔膜,并可以与阴极材料紧密接触,大大缩短了锂离子在阴阳电极间的扩散距离,提高了电极材料的电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。

本发明公开了一种基于3D打印技术制备锂离子电池多孔电极的方法,以磷酸铁锂、氧化锰为原料制备出打印墨水,再利用3D打印技术,采用微型注射打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以氧化锰为阳极材料的阴阳极叉指型结构,然后在氩气保护下热处理后得到以多孔磷酸铁锂为阴极材料,以多孔氧化锰为阳极材料的叉指型锂离子电池结构,再将其转移到手套箱内进行封装,最终得到阴阳极交叉的锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有大的比表面积,使得电池的比容量和能量密度相比以往的平面型锂离子电池有很大提高；另外,阴阳极材料的多孔型结构提高了锂离子的扩散速度,同时使得锂离子电池具有较高的离子及电子电导率。

本发明涉及一种基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法。这种方法主要是分别以钛酸锂、聚酰亚胺、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水,再利用3D打印技术,制备出以钛酸锂为阳极材料,聚酰亚胺为隔膜,磷酸铁锂为阴极材料的叠层垂直交叉电极结构。本发明主要基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法,具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、阴阳极电极间距小等优势。这些都将极大提高了锂离子在电极之间的的扩散速度,进而提高了其离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明公开了一种基于3D打印技术制备阴阳极同轴锂离子电池的方法,以氧化锰、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂为原料制备出打印墨水,再利用3D打印技术,采用同轴套管打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚偏氟乙烯膜为隔膜,以氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,在氩气保护下热处理后得到以磷酸铁锂为阴极材料,以多孔聚偏氟乙烯膜为隔膜,以多孔氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料,再转移到手套箱内进行封装,最终得到阴阳极同轴锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴阳极同轴结构、大的比表面积,大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率。

本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法,利用先进的量子点组装技术,在硅/二氧化硅衬底上,组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道,随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,随后,通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道,可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应,从而有效提高了晶体管的灵敏度,因此,在新型光电器件中将具有...

本发明涉及一种基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法。这种方法主要是分别以锡碳纳米材料、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水,再用3D打印技术打印出以锡碳材料为阳极,磷酸铁锂材料为阴极的电极结构,最后将所制备的电极转移到充满氩气的手套箱中完成对3D复合电极锂离子电池的封装。本发明主要基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法,具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、导电性能良好等优势。在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明公开了一种原位生长量子点光学膜的制备方法,利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术,在ITO玻璃衬底上,原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层,随后再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺,最终制备出原位生长高分散性量子点光学膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用原位生长技术,因而光致发光层中的量子点粒径精确可控、分散性良好,该量子点光学膜制备工艺可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用,实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布,进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能,因此,在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明涉及一种基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法。这种方法主要是分别以钛酸锂、聚酰亚胺、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水,再利用3D打印技术,制备出以钛酸锂为阳极材料,聚酰亚胺为隔膜,磷酸铁锂为阴极材料的叠层垂直交叉电极结构。本发明主要基于3D打印技术制备锂离子电池叠层垂直交叉电极的方法,具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、阴阳极电极间距小等优势。这些都将极大提高了锂离子在电极之间的的扩散速度,进而提高了其离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明公开了一种基于3D打印技术制备锂离子电池多孔电极的方法,以磷酸铁锂、氧化锰为原料制备出打印墨水,再利用3D打印技术,采用微型注射打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以氧化锰为阳极材料的阴阳极叉指型结构,然后在氩气保护下热处理后得到以多孔磷酸铁锂为阴极材料,以多孔氧化锰为阳极材料的叉指型锂离子电池结构,再将其转移到手套箱内进行封装,最终得到阴阳极交叉的锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有大的比表面积,使得电池的比容量和能量密度相比以往的平面型锂离子电池有很大提高；另外,阴阳极材料的多孔型结构提高了锂离子的扩散速度,同时使得锂离子电池具有较高的离子及电子电导率。

本发明涉及一种圆环形锂电池的3D打印工艺,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用特定的3D打印工艺制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形复合电极材料。本发明基于圆环形锂电池的3D打印工艺,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；这一叠层圆环电极材料大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明涉及一种锂电池的3D打印方法,首先制备3D打印所需的正、负极浆料及其隔膜浆料。再将各浆料分别打印出锂电池的正、负电极以及位于上述两者之间的电极隔膜层,随后,在试管炉中用氩气保护下热处理制备得到正极、隔膜层及负极交叠组装的环状电极复合材料；再转移到手套箱内进行封装,最终得到阴极、隔膜及阳极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池,大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率。

为了研究有机溶剂对化学合成法中生成的氧化铋纳米材料结构及场发射性能的影响,反应过程中,分别添加三个不同剂量的有机溶剂,获得三种产物。利用扫描电镜对其结构进行分析,并进行场发射性能测试,结果表明,线状的氧化铋纳米材料阴极阵列,开启电场最小,为2.6 V/μm,场增强因子最大,为2160,场发射性能最佳,手状结构的氧化铋纳米材料阴极阵列场发射次之,类手状结构最差,最后对有机溶剂对不同形貌产生的原因进行了分析。

本发明涉及一种应用于锂电池3D打印的材料制备方法,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用3D打印技术制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明基于锂电池3D打印的材料制备方法,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池,这将大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明涉及一种圆环形锂电池的3D打印工艺,首先制备出打印锂电池正负电极浆料,再制取隔膜浆料,随后利用特定的3D打印工艺制备出以磷酸铁锂为阴极材料,以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形复合电极材料。本发明基于圆环形锂电池的3D打印工艺,制备方法新颖,工艺简单,精确可控,所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；这一叠层圆环电极材料大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离,提高了相应的扩散速度,具有较高的离子及电子电导率,在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明涉及一种基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法。这种方法主要是分别以锡碳纳米材料、磷酸铁锂溶解到各自溶液中制备出各打印电极墨水,再用3D打印技术打印出以锡碳材料为阳极,磷酸铁锂材料为阴极的电极结构,最后将所制备的电极转移到充满氩气的手套箱中完成对3D复合电极锂离子电池的封装。本发明主要基于3D打印技术制备锡碳阳极/磷酸铁锂阴极锂离子电池的方法,具有制备方法新颖、工艺简单特点；所制备的电极材料具有比表面积大、能量密度高、导电性能良好等优势。在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。

本发明公开了一种原位生长量子点光学膜的制备方法,利用溶胶-凝胶和旋涂相结合工艺技术,在ITO玻璃衬底上,原位生长出具有高分散性量子点有机膜层作为光致发光层,随后再通过有机物旋涂、封装、隔离工艺,最终制备出原位生长高分散性量子点光学膜。本发明制备方法新颖,制作成本低,制备工艺简单。此外,由于采用原位生长技术,因而光致发光层中的量子点粒径精确可控、分散性良好,该量子点光学膜制备工艺可充分利用有机物对量子点生长的阻隔和调控作用,实现对量子点粒径有效控制和量子点在光致发光层中高分散性分布,进而有效提高其量子点光学膜的光致发光性能,因此,在新型光电显示器件中将具有非常重要的应用价值。

本发明公开了一种基于量子点膜层导电沟道的场效应管的制备方法,利用先进的量子点组装技术,在硅/二氧化硅衬底上,组装出单层CdSe量子点阵列膜层作为场效应管的导电沟道,随后通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在单层CdSe量子点阵列膜层及其衬底硅上分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极、漏极和栅极,随后,通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于量子点膜层导电沟道的场效应管。本发明制备方法新,制作成本低,制备工艺简单,精确可控,所制备的晶体管具有特殊量子点阵列膜层导电沟道,可充分利用量子点阵列膜层的量子尺寸效应,从而有效提高了晶体管的灵敏度,因此,在新型光电器件中将具有...