Figure 9 - uploaded by Gianluca Sena
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![Figure 4. Power MOSFET(left) IGBT (right) (from [15]).](profile/Gianluca-Sena/publication/318569763/figure/fig2/AS:669414940745731@1536612367277/Power-MOSFETleft-IGBT-right-from-15_Q320.jpg)
![Figure 5. NPT (left) and PT (right) IGBT (from [13]).](profile/Gianluca-Sena/publication/318569763/figure/fig3/AS:669414940762119@1536612367293/NPT-left-and-PT-right-IGBT-from-13_Q320.jpg)
In this paper the state of art of semiconductors devices for Industrial Pulse-Width Modulation (PWM) Inverters is presented. The last generations of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), Silicon Carbide (SiC) MOSFETs and Gallium Nitride (GaN) Transistors are introduced and analysed. At last a comparison between Si-based IGBT and SiC MOSFET, o...
Context in source publication
Context 1
... 10, Issue 1, pp. 52-65 The turn-off switching losses is reduced and waveforms are shown in Fig. 9. These solutions improve also the thermal stability. The Field Stop layer have been optimized, realizing the suppression of voltage oscillations and improving the breakdown voltage capability. The leakage current of the 7th generation IGBT is less than 28% compared to the 6th generation IGBT (VCE=1200V and Tj=150 °C). The reduction of ...
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Citations
... 6-13, 2018, ISSN 0122-820X -E ISSN: 2422-5053 cuyos ciclos de trabajo se modifican dependiendo del algoritmo diseñado utilizando el método de conteo Amperio-hora y la relación directa del voltaje de circuito abierto (Voltage Open Circuit, VOC) en la batería con el diagnóstico preciso del estado de carga de la misma [9]. Por otro lado, la etapa de potencia consiste en la implementación de transistores de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor, BJT) y transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (Metal -oxide -semiconductor Field-effect transistor, MOSFET) [10] para amplificar las señales PWM y generar conmutaciones entre las conexiones de panel, batería y carga. ...
Los sistemas fotovoltaicos autónomos (SFA) se componen de un panel solar, una batería, una carga eléctrica y un controlador
de carga. En particular, el controlador de carga tiene como objetivo proteger la batería de sub-descargas y sobrecargas
manteniendo un control constante en la energía entregada por el panel a la batería, así como también de la batería hacia la carga
conectada. En este artículo se describe el diseño e implementación de un controlador de carga utilizando modulación por ancho
de pulso (PWM), tomando en cuenta un análisis de relación costo-beneficio para conseguir la mayor eficiencia posible a un
precio competitivo en el ámbito comercial. Se desarrolló mediante un circuito de potencia utilizando transistores de efectos de
campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) de rápida conmutación; los MOSFET se activan a través de una señal PWM
transmitida por un micro-controlador PIC, que fue programado para variar el ciclo de trabajo de la señal PWM, dependiendo de
las variables que se miden en el SFA, como voltaje del panel y el estado de carga de la batería (SoC). El SoC se determina
mediante el método de conteo de Amperios-hora, midiendo las variables eléctricas utilizando divisores de voltaje y un sensor de
corriente de efecto Hall, los cuales envían la información al micro-controlador. Se implementó el controlador de carga utilizando
componentes de bajo costo y reduciendo la cantidad de sensores comúnmente usados sin afectar el funcionamiento del circuito,
además de obtener una eficiencia y un precio que compite con los controladores PWM existentes en el mercado.
