Figure 3 - uploaded by Abdelhamid H. Mahi
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6-HEMT sous un signal électrique THz détecté par la grille et/ou le drain. 

6-HEMT sous un signal électrique THz détecté par la grille et/ou le drain. 

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Figure 2.10-Structure à deux dimensions pour la modélisation des...
Figure 2.9-Caractéristiques de l'émission d'un HEMT GaN de longueur de...
Figure 2.12-Facteur de qualité de la fréquence de résonance de plasma...
Figure 2.11-Fréquence plasma calculée par Monte-Carlo (symboles) et par...
+17 Figure 2.6-Propagation d'une onde de surface en eau peu profonde :...
Modélisation de transistors à effet de champ pour les applications térahertz
Thesis
Full-text available
  • Dec 2014
L'objectif de ce travail de thèse est l'exploitation des oscillations de plasma bidimensionnelles dans les transistors à haute mobilité électronique à base d'InGaAs, matériaux de grand intérêt pour les applications Terahertz grâce à sa haute mobilité électronique. Ce travail s'insère dans le contexte d'études récentes dans lesquelles l'utilisation...
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